テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
350 pF @ 25 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
19A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252 (DPAK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 19A, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
24 nC @ 20 V