テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
18 nC @ 10 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
390 pF @ 25 V
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
最大消費電力
2.5W (Ta), 42W (Tc)