IV2Q06040T4Z
部品番号：
IV2Q06040T4Z
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Inventchip
説明：
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 40MOHM,
カプセル化
Tube
包装：
数量：
1660
RoHS状態：
NO
PDF：
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$11.56
$11.56
10
$7.98
$79.8
100
$5.96
$596
500
$5.4
$2700
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
72A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-247-4
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 7.5mA
Vgs（最大）
+20V, -5V
最大消費電力
249W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 20A, 18V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
94.7 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2000 pF @ 600 V
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