テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ / ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
9.7 nC @ 4.5 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 3A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
686 pF @ 15 V