N3T035MP120D
部品番号：
N3T035MP120D
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
NoMIS Power
説明：
1200 V, 35 m SiC MOSFET, TO-247-
カプセル化
Tube
包装：
数量：
2252
RoHS状態：
NO
PDF：
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$18.65
$18.65
25
$16.45
$411.25
100
$15.35
$1535
500
$14.25
$7125
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-247-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 20V
最大消費電力
319W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 15mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
76A
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
126 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2204 pF @ 800 V
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