NC1M120C12WDCU
部品番号：
NC1M120C12WDCU
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
NovuSem
説明：
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
カプセル化
Tray
包装：
数量：
3780
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 218
数量
価格
合計価格
218
$45.35
$9886.3
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
パッケージ / ケース
Die
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
サプライヤーデバイスパッケージ
Wafer
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
214A (Tc)
Vgs（最大）
+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40mA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
8330 pF @ 1000 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 20V
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