電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
46A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
18V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263-7L
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1402 pF @ 1000 V
パッケージ / ケース
TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)