P3M06060G7
部品番号：
P3M06060G7
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
PN Junction Semiconductor
説明：
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
カプセル化
Tape & Reel (TR)
包装：
数量：
1600
RoHS状態：
NO
PDF：
在庫
base.lang_mini : 0
数量
価格
合計価格
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
Automotive
認定
AEC-Q101
パッケージ / ケース
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK-7
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
15V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
最大消費電力
159W
Vgs（最大）
+20V, -8V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
44A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20mA (Typ)
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