パッケージ / ケース
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
40A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
20V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1001 pF @ 800 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
60 nC @ 20 V