QSD6HCS65U
部品番号：
QSD6HCS65U
製品分類：
単一ダイオード
製造元：
Quest Semi
説明：
SiC 6AMP 650V Schottky Barrier D
カプセル化
Tube
包装：
数量：
4600
RoHS状態：
NO
PDF：
在庫
base.lang_mini : 100
数量
価格
合計価格
100
$1.05
$105
500
$0.94
$470
1000
$0.83
$830
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
グレード
Automotive
認定
AEC-Q101
動作温度 - 接合部
-55°C ~ 175°C
パッケージ / ケース
TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-2
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr）
0 ns
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If
1.6 V @ 6 A
電流 - 平均整流 (Io)
21A
電圧 - DCリバース（Vr）（最大）
650 V
電流 - 逆方向リーク電流 @ Vr
15 µA @ 650 V
容量 @ Vr, F
421pF @ 0V, 1MHz
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