テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
16 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4V, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
750 pF @ 20 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 10A, 10V