テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Ta)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
45 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 5A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2260 pF @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP (5.5x6.0)