TPH3212PS
部品番号：
TPH3212PS
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Transphorm
説明：
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
カプセル化
Tube
包装：
数量：
1600
RoHS状態：
NO
PDF：
在庫
base.lang_mini : 0
数量
価格
合計価格
部品ステータス
Obsolete
実装タイプ
Through Hole
FETタイプ
N-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ / ケース
TO-220-3
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
27A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
最大消費電力
104W (Tc)
Vgs（最大）
±18V
テクノロジー
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
14 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 400uA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1130 pF @ 400 V
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