テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1300 pF @ 25 V
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
35A (Tc)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
60 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252 (DPAK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 30A, 10V