テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
40.6 nC @ 10 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1006 pF @ 100 V