18923764396
szlcwkj@163.com
Japanese
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
トップページ
製品分類
ブランド
引き合い
ニュース
私たちについて
私たちについて
連絡先
お問い合わせ
企業文化
企業文化
トップページ
製品分類
ブランド
引き合い
ニュース
私たちについて
連絡先
企業文化
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
トップページ
製品センター
ディスクリート半導体製品
トランジスタ
FET、MOSFET
シングルFET、MOSFET
XP65AN1K2IT
部品番号:
XP65AN1K2IT
製品分類:
シングルFET、MOSFET
製造元:
YAGEO XSemi
説明:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
カプセル化
Tube
包装:
数量:
2589
RoHS状態:
NO
共有:
PDF:
引き合い
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$2.35
$2.35
50
$1.28
$64
100
$1.22
$122
500
$0.98
$490
1000
$0.9
$900
2000
$0.83
$1660
5000
$0.79
$3950
製品パラメータ
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ / ケース
TO-220-3 Full Pack
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Vgs(最大)
±30V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.5A, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
44.8 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220CFM
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2048 pF @ 100 V
最大消費電力
1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
最新製品
Vishay Siliconix
IRF510
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
詳細
Vishay Siliconix
IRF9510
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
詳細
Vishay Siliconix
IRFD9220
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
詳細
Vishay Siliconix
IRF840
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
詳細
Vishay Siliconix
IRFD110
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
詳細
Vishay Siliconix
IRFD9113
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
詳細
Vishay Siliconix
IRFD210
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
詳細
Vishay Siliconix
IRFD9110
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
詳細
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396