テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
850 pF @ 25 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
17A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
12.5 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 8A, 10V