テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
181 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
8-PowerTDFN, 5 Leads
実装タイプ
Surface Mount, Wettable Flank
最大消費電力
3.9W (Ta), 200W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
52A (Ta), 370A (Tc)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
12168 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.67mOhm @ 50A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)