テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
86 nC @ 10 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
6100 pF @ 25 V
パッケージ / ケース
8-PowerTDFN, 5 Leads
実装タイプ
Surface Mount, Wettable Flank
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.92mOhm @ 50A, 10V
最大消費電力
3.9W (Ta), 166W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
46A (Ta), 300A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)