テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
570 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
パッケージ / ケース
8-PowerTDFN, 5 Leads
実装タイプ
Surface Mount, Wettable Flank
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
7.3 nC @ 10 V
最大消費電力
3.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.3mOhm @ 20A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A (Ta), 37A (Tc)