NXVF6532M3TG01
部品番号：
NXVF6532M3TG01
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：0
数量
価格
合計
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
31A (Tc)
コンフィギュレーション
4 N-Channel (Full Bridge)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 7.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
58nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1215pF @ 400V
パワー - 最大
65.2W (Tj)
パッケージ / ケース
13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
サプライヤーデバイスパッケージ
APM16
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