AMTP65H150G4PS
부품 번호
AMTP65H150G4PS
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Analog Power Inc.
설명
GAN FET N-CH 650V TO-220
패키지
Tube
포장
수량
1601
RoHS 상태
NO
PDF：
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$7.27
$7.27
50
$5.8
$290
100
$5.19
$519
500
$4.58
$2290
1000
$4.12
$4120
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
전력 소산 (최대)
300W (Tc)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
13A (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
598 pF @ 400 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
150mOhm @ 10A, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
8 nC @ 6 V
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