AS1M025120P
부품 번호
AS1M025120P
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
설명
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
패키지
Tube
포장
수량
1724
RoHS 상태
NO
PDF：
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$34.4
$34.4
30
$26.83
$804.9
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스
TO-247-3
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
90A (Tc)
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
전력 소산 (최대)
463W (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (최대)
+25V, -10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
195 nC @ 20 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3600 pF @ 1000 V
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