EPC2010C
부품 번호
EPC2010C
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
EPC
설명
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
패키지
Cut Tape (CT)
포장
수량
4756
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$8.77
$8.77
10
$5.96
$59.6
100
$4.59
$459
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
부품 상태
Not For New Designs
드레인-소스 전압 (Vdss)
200 V
전력 소산 (최대)
-
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스
Die
공급업체 장치 패키지
Die
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
22A (Ta)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
5.3 nC @ 5 V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Vgs (최대)
+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
540 pF @ 100 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
25mOhm @ 12A, 5V
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