부품 상태
Not For New Designs
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 9mA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
53A (Ta)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1180 pF @ 20 V