EPC2016
부품 번호
EPC2016
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
EPC
설명
GANFET N-CH 100V 11A DIE
패키지
Tape & Reel (TR)
포장
수량
1600
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 0
수량
가격
총 가격
부품 상태
Discontinued at
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
드레인-소스 전압 (Vdss)
100 V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-40°C ~ 125°C (TJ)
전력 소산 (최대)
-
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
11A (Ta)
패키지 / 케이스
Die
공급업체 장치 패키지
Die
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (최대)
+6V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
520 pF @ 50 V
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