EPC7014UBSH
부품 번호
EPC7014UBSH
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
EPC Space, LLC
설명
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
패키지
Bulk
포장
수량
1620
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$255.64
$255.64
10
$245.2
$2452
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)
60 V
전력 소산 (최대)
-
공급업체 장치 패키지
4-SMD
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
패키지 / 케이스
4-SMD, No Lead
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Vgs (최대)
-
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 140µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
22 pF @ 30 V
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