패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
101A (Tc)
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
28mOhm @ 35A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 60mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
194 nC @ 15 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4437 pF @ 400 V