FF06100J-7
부품 번호
FF06100J-7
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
fastSiC
설명
SICFET N-CH 650V 20.6A TO-263-7L
패키지
Tape & Reel (TR)
포장
수량
1900
RoHS 상태
NO
PDF：
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$9.98
$9.98
10
$3.66
$36.6
100
$3.41
$341
4000
$3.32
$13280
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
전력 소산 (최대)
83W (Tc)
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1000 pF @ 400 V
공급업체 장치 패키지
D2PAK-7L
Vgs (최대)
18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
43 nC @ 15 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 14mA
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