전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
19 nC @ 15 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 500mA, 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
266 pF @ 1.2 kV