G01N20LE
부품 번호
G01N20LE
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Goford Semiconductor
설명
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
패키지
Cut Tape (CT)
포장
수량
2418
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$0.58
$0.58
10
$0.36
$3.6
100
$0.23
$23
500
$0.17
$85
1000
$0.15
$150
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3
드레인-소스 전압 (Vdss)
200 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
전력 소산 (최대)
1.5W (Tc)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
580 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1A, 10V
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