G12P03D3
부품 번호
G12P03D3
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Goford Semiconductor
설명
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
패키지
Cut Tape (CT)
포장
수량
9033
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$0.98
$0.98
10
$0.61
$6.1
100
$0.39
$39
500
$0.3
$150
1000
$0.27
$270
2000
$0.25
$500
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형
P-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
드레인-소스 전압 (Vdss)
30 V
전력 소산 (최대)
30W (Tc)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
공급업체 장치 패키지
8-DFN (3.15x3.05)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1337 pF @ 15 V
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