G33N03D3
부품 번호
G33N03D3
제품 분류
FET, MOSFET 어레이
제조업체
Goford Semiconductor
설명
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
패키지
Cut Tape (CT)
포장
수량
8728
RoHS 상태
NO
공유
PDF:
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$1.31
$1.31
10
$0.82
$8.2
100
$0.54
$54
500
$0.42
$210
1000
$0.38
$380
2000
$0.35
$700
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
컨피규레이션
2 N-Channel (Dual)
드레인-소스 전압 (Vdss)
30V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
15nC @ 10V
공급업체 장치 패키지
8-DFN (3x3)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs
11mOhm @ 16A, 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
837pF @ 15V
파워 - 최대
13W (Tc)
최신 제품
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
onsemi
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
onsemi
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
onsemi
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC