G65P06D5
부품 번호
G65P06D5
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Goford Semiconductor
설명
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
패키지
Cut Tape (CT)
포장
수량
2019
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$1.72
$1.72
10
$1.08
$10.8
100
$0.72
$72
500
$0.57
$285
1000
$0.52
$520
2000
$0.5
$1000
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형
P-Channel
드레인-소스 전압 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
전력 소산 (최대)
104W (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
75 nC @ 10 V
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
공급업체 장치 패키지
8-DFN (4.9x5.75)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6138 pF @ 25 V
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