GE12160CEA3
부품 번호
GE12160CEA3
제품 분류
FET, MOSFET 어레이
제조업체
GE Aerospace
설명
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
패키지
Bulk
포장
수량
1612
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$9678.9
$9678.9
부품 상태
Active
장착 유형
Chassis Mount
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
자격 인증
AEC-Q101
패키지 / 케이스
Module
공급업체 장치 패키지
Module
컨피규레이션
2 N-Channel (Half Bridge)
기술
Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
1.425kA (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 480mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
3744nC @ 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
90000pF @ 600V
파워 - 최대
3.75kW
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