GPIHV5DK
부품 번호
GPIHV5DK
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
GaNPower
설명
GaNFET N-CH 1200V 5A TO252
패키지
Tape & Reel (TR)
포장
수량
1600
RoHS 상태
NO
공유
PDF:
인벤토리
base.lang_mini : 0
수량
가격
총 가격
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
5A
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
6V
Vgs (최대)
+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.7V @ 3.5mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
1.9 nC @ 6 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
90 pF @ 700 V
최신 제품
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP