GT110N06S
부품 번호
GT110N06S
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Goford Semiconductor
설명
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
패키지
Cut Tape (CT)
포장
수량
5133
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$1.25
$1.25
10
$0.78
$7.8
100
$0.51
$51
500
$0.4
$200
1000
$0.36
$360
2000
$0.33
$660
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1300 pF @ 25 V
드레인-소스 전압 (Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
14A (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
24 nC @ 10 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
공급업체 장치 패키지
8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
전력 소산 (최대)
3W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
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