GT52N10D5
부품 번호
GT52N10D5
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Goford Semiconductor
설명
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
패키지
Cut Tape (CT)
포장
수량
13359
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$2.52
$2.52
10
$1.61
$16.1
100
$1.1
$110
500
$0.88
$440
1000
$0.85
$850
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)
100 V
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
전력 소산 (최대)
100W (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
50 nC @ 10 V
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
71A (Tc)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2870 pF @ 50 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
공급업체 장치 패키지
8-DFN (4.9x5.75)
최신 제품
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