HTNFET-T
부품 번호
HTNFET-T
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Honeywell Aerospace
설명
MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
패키지
Bulk
포장
수량
1600
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 0
수량
가격
총 가격
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V
패키지 / 케이스
4-SIP
드레인-소스 전압 (Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
-
Vgs (최대)
10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
4.3 nC @ 5 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
400mOhm @ 100mA, 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
290 pF @ 28 V
전력 소산 (최대)
50W (Tj)
작동 온도
-55°C ~ 225°C (TJ)
공급업체 장치 패키지
4-Power Tab
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