HUF75309D3S
부품 번호
HUF75309D3S
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Harris Corporation
설명
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
패키지
Tube
포장
수량
15780
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 841
수량
가격
총 가격
841
$0.4
$336.4
부품 상태
Obsolete
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
350 pF @ 25 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
19A (Tc)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
드레인-소스 전압 (Vdss)
55 V
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
전력 소산 (최대)
55W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
70mOhm @ 19A, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
24 nC @ 20 V
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