HUF76629D3S
부품 번호
HUF76629D3S
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Harris Corporation
설명
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
패키지
Tube
포장
수량
2058
RoHS 상태
NO
인벤토리
base.lang_mini : 326
수량
가격
총 가격
326
$1.01
$329.26
부품 상태
Obsolete
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)
100 V
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
등급
-
자격 인증
-
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Vgs (최대)
±16V
전력 소산 (최대)
110W (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
46 nC @ 10 V
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1285 pF @ 25 V
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