IV2Q06040T4Z
부품 번호
IV2Q06040T4Z
제품 분류
단일 FET, MOSFET
제조업체
Inventchip
설명
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 40MOHM,
패키지
Tube
포장
수량
1660
RoHS 상태
NO
PDF：
인벤토리
base.lang_mini : 1
수량
가격
총 가격
1
$11.56
$11.56
10
$7.98
$79.8
100
$5.96
$596
500
$5.4
$2700
장착 유형
Through Hole
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
FET 피처
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
72A (Tc)
패키지 / 케이스
TO-247-4
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
공급업체 장치 패키지
TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 7.5mA
Vgs (최대)
+20V, -5V
전력 소산 (최대)
249W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
53mOhm @ 20A, 18V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
94.7 nC @ 18 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2000 pF @ 600 V
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