TPD3215M
부품 번호
TPD3215M
제품 분류
FET, MOSFET 어레이
제조업체
Transphorm
설명
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
패키지
Bulk
포장
수량
1600
RoHS 상태
NO
PDF：
인벤토리
base.lang_mini : 0
수량
가격
총 가격
부품 상태
Obsolete
장착 유형
Through Hole
FET 피처
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
패키지 / 케이스
Module
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
공급업체 장치 패키지
Module
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
70A (Tc)
드레인-소스 전압 (Vdss)
600V
컨피규레이션
2 N-Channel (Half Bridge)
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
34mOhm @ 30A, 8V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
28nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2260pF @ 100V
파워 - 최대
470W
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