구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
부품 상태
Not For New Designs
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
17A (Tc)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
760 pF @ 480 V