컨피규레이션
2 N-Channel (Half Bridge)
기술
GaNFET (Gallium Nitride)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
9A (Tj)
공급업체 장치 패키지
14-PQFN (6x8)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
250mOhm @ 2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.75V @ 10mA
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
1.9nC @ 6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
53.5pF @ 400V