기술
GaNFET (Gallium Nitride)
패키지 / 케이스
8-LDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
17A (Tj)
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
6V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 6V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
4.8 nC @ 6 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
120 pF @ 400 V