SIJ5623DP-T1-GE3
부품 번호:
SIJ5623DP-T1-GE3
제품 분류:
-
제조사:
설명:
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET 150C
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
6000
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$2.61
$2.61
10+
$1.68
$16.8
100+
$1.14
$114
500+
$0.92
$460
1000+
$0.9
$900
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형
P-Channel
드레인-소스 전압 (Vdss)
60 V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
Rds On(최대) @ Id, Vgs
24mOhm @ 10A, 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1575 pF @ 30 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 26.1A (Tc)
전력 소산 (최대)
4.1W (Ta), 32.9W (Tc)
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