SISS5708DN-T1-BE3
부품 번호:
SISS5708DN-T1-BE3
제품 분류:
-
제조사:
설명:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
패키지 타입:
패키지:
Cut Tape (CT)
수량:
5975
RoHS 상태:
지원
PDF:
재고
최소 주문 수량: 1
수량
가격
총액
1+
$2.72
$2.72
10+
$1.74
$17.4
100+
$1.18
$118
500+
$0.96
$480
1000+
$0.94
$940
부품 상태
Active
장착 유형
Surface Mount
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (최대)
±20V
FET 피처
-
등급
-
자격 인증
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
드레인-소스 전압 (Vdss)
150 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
23mOhm @ 10A, 10V
구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
7.5V, 10V
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스
PowerPAK® 1212-8S
전력 소산 (최대)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
975 pF @ 75 V
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 33.8A (Tc)
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