Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.3W (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
5.3A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8 nC @ 4.5 V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Vgs(th) (макс.) при Id
400mV @ 250µA (Min)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
64mOhm @ 3.3A, 2.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
449 pF @ 15 V