Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.3W (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Напряжение сток-исток (Vdss)
-40 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
140mOhm @ 2.1A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
5.8 nC @ -4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
384 pF @ -15 V